可評估薄膜導電性能的高溫四探針測試儀采用直排四探針法設計原理測量。主要用于評估半導體薄膜和薄片的導電性能，參考美國 A.S.T.M 標準設計。重復性與穩定性更好，采用雙屏蔽高頻測試線纜，提高測試參數的精確度，同時抗干擾力更強。本設備也可應用于產品檢測以及新材料電學性能研究等用途。

高溫四探針測試儀的測量原理：

• 測量電阻率的方法很多，如三探針法、電容-電壓法、擴展電阻法等，四探針法則是一種廣泛采用的標準方法，高溫四探針測試儀采用經典直排四探針原理，同時采用了雙電測組合四探針法。

• 經典的直排四探針法測試電阻率，要求使用等間距的探針，如果針間距離不等或探針有游移，就會造成實驗誤差。當被測片較小或在大片邊緣附近測量時，要求計入電場畸變的影響進行邊界修正。

• 采用雙電測組合四探針的出現，為提高薄膜電阻和體電阻率測量度創造了有利條件。

高溫四探針測試儀采用雙電測組合四探針法的優勢：

可按用戶要求訂制非標產品

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