高溫四探針綜合測試系統（包含薄膜，塊體功能）是為了更方便的研究在高溫條件下的半導體的導電性能，該系統可以*實現在高溫、真空及惰性氣氛條件下測量硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率和外延層、擴散層和離子層的方塊電阻及測量其他方塊電阻。
 

　　高溫四探針綜合測試系統符合的標準：
 

　　1、符合GB/T 1551-2009《硅單晶電阻率測定方法》
 

　　2、符合GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》
 

　　最后我們來了解一下高溫四探針綜合測試系統的應用：
 

　　1、測試硅類半導體、金屬、導電塑料類等硬質材料的電阻率/方阻；
 

　　2、可測柔性材料導電薄膜電阻率/方阻；
 

　　3、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導電膜（ITO膜）電阻率/方阻；
 

　　4、納米涂層等半導體材料的電阻率/方阻；
 

　　5、電阻器體電阻、金屬導體的低、中值電阻以及開關類接觸電阻進行測量；
 

　　6、可測試電池極片等箔上涂層電阻率方阻。